26-04-2023
В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные заводы, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС.
Компания | Название фабрики | Местоположение | Примерная стоимость, млрд $ | Начало производства | Диаметр пластин, мм | Техпроцесс, нм | Производительность, пластин в месяц |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Intel | D1D[1] | Hillsboro, Орегон, США | 2003 | 300 | 22 | ||
Intel | D1C[1] | Hillsboro, Орегон, США | 2001 | 300 | 32 | ||
Intel | D1X[2] | Hillsboro, Орегон, США | 2013 | 300 | 22 | ||
Intel | Fab 12[1] | Chandler, Аризона, США | 1996 | 300 | 65 | ||
Intel | Fab 32[1][3] | Chandler, Аризона, США | 3 | 2007 | 300 | 45 | |
Intel | Fab 32[1] | Chandler, Аризона, США | 300 | 32 / 22 | |||
Intel | Fab 42[4][5] | Chandler, Аризона, США | 5 | 2013 | 300 | 14 | |
Intel | Fab 11x[1] | Rio Rancho, New Mexico, США | 2002 | 300 | 32 | ||
Intel | Fab 11x[1] | Rio Rancho, New Mexico, США | 2002 | 300 | 45 | ||
Intel | Fab 17[1] | Hudson, Massachusetts, USA | 1998 | 200 | |||
Intel | Fab 10[1] | Leixlip, Ирландия | 1994 | 200 | |||
Intel | Fab 14[1] | Leixlip, Ирландия | 1998 | 200 | |||
Intel | Fab 24[1] | Leixlip, Ирландия | 2006 | 300 | 65 | ||
Intel | Fab 24[1] | Leixlip, Ирландия | 2006 | 300 | 90 | ||
Intel | Fab 28[1] | Kiryat Gat, Израиль | 2008 | 300 | 45 / 22 | ||
Intel | Fab 68[1][6] | Dalian, Китай | 2.5 | 2010 | 300 | 65 | |
Motorola | MOTOFAB1[7] | Guadalajara, Мексика | 2002 | ||||
Micron | USA, Virginia | 300 | |||||
GlobalFoundries | Fab 1[8] | Дрезден, Германия | 2.5 | 2005 | 300 | 45 и менее | 80,000 |
GlobalFoundries | Fab 7[9] | Сингапур | 300 | 130-40 | 50,000 | ||
GlobalFoundries | Fab 8[10][11] | Malta, New York, США | 4.6 | 2012 | 300 | 28 | 60,000 |
GlobalFoundries | Fab 2[12] | Сингапур | 200 | 600-350 | 50,000 | ||
GlobalFoundries | Fab 3/5[13] | Сингапур | 200 | 350-180 | 54,000 | ||
GlobalFoundries | Fab 3E[14] | Сингапур | 200 | 180 | 34,000 | ||
GlobalFoundries | Fab 6[15] | Сингапур | 200 | 110 | 45,000 | ||
GlobalFoundries | Fab 9[16] | Abu Dhabi, ОАЭ | 2015 | ||||
TSMC | Fab 2[17] | Hsinchu, Тайвань | 150 | ||||
TSMC | Fab 3 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 5 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 6 | Tainan, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 8 | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
TSMC | Fab 10 | Shanghai, Китай | 200 | ||||
TSMC | Fab 12 | Hsinchu, Тайвань | 300 | 28 | |||
TSMC | Fab 12 | Hsinchu, Тайвань | 300 | 22 | |||
TSMC | Fab 12(P4) | Hsinchu, Тайвань | |||||
TSMC | Fab 14 | Tainan, Тайвань | 300 | 28 | |||
TSMC WaferTech | Fab 14 | Camas, Washington, США | 200 | ||||
TSMC | Fab 15[18] | Taichung, Тайвань | 2011Q4 | 300 | 28 | ||
TSMC | Fab 15[18] | Taichung, Тайвань | конец 2011 | 300 | 20 | ||
TSMC | Fab 16 | Taichung, Тайвань | План | 300 | 28 | ||
UMC | Fab 6A | Hsinchu, Тайвань | 150 | ||||
UMC | Fab 8AB | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8C | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8D | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8E | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8F | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 8S | Hsinchu, Тайвань | 200 | ||||
UMC | Fab 12A | Tainan, Тайвань | 300 | ||||
UMC | Fab 12 | Сингапур | 300 | ||||
Vanguard International Semiconductor Corporation | Fab 1 | Тайвань, Hsinchu | 200 | ||||
Vanguard International Semiconductor Corporation | Fab 2 | Тайвань, Hsinchu | 200 | ||||
IM Flash | IM Flash[19] | Сингапур | 2011.04 | 300 | 25 | ||
IM Flash | IM Flash | Lehi, Utah, США | 300 | 20 | |||
IM Flash | IM Flash | Manassas, Virginia, США | |||||
NXP Semiconductors | DHAM[20] | Германия, Гамбург | |||||
NXP Semiconductors | Китай, Jilin | ||||||
NXP Semiconductors | Великобритания, Манчестер | ||||||
NXP Semiconductors | ICN8 | Нидерланды, Nijmegen | |||||
NXP Semiconductors | SSMC | Сингапур | |||||
IBM | Building 323[21][22] | East Fishkill, N.Y., США | 2.5 | 2002 | 300 | ||
IBM | Burlington Fab | Essex Junction, VT, США | 200 | ||||
STMicroelectronics | Crolles 1 / Crolles 200 | Crolles, Франция | 1993 | 200 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 2003 | 300 | 90 | ||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 65 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 45 | |||
STMicroelectronics | Crolles2 | Crolles, Франция | 300 | 32 | |||
STMicroelectronics | Agrate | Agrate Brianza, Italy | 200 | ||||
STMicroelectronics | Catania | Catania, Italy | 1997 | 200 | |||
STMicroelectronics | Rousset | Rousset, Франция | 2000 | 200 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[23] | Albany, NY, США | .175 | 2005 | 300 | 65 | |
CNSE | NanoFab 300 North[23] | Albany, NY, США | 300 | 45 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[23] | Albany, NY, США | 300 | 32 | |||
CNSE | NanoFab 300 North[23] | Albany, NY, США | 300 | 22 | |||
CNSE | NanoFab 300 South[23] | Albany, NY, США | .050 | 2004 | 300 | 22 | |
CNSE | NanoFab 200[24] | Albany, NY, США | .016 | 1997 | 200 | ||
CNSE | NanoFab Central[23] | Albany, NY, США | .150 | 2009 | 300 | 22 | |
Powerchip Semiconductor | Memory Foundry[25] | Тайвань | 300 | 90 | |||
Powerchip Semiconductor | Memory Foundry[25] | Тайвань | 300 | 70 | |||
Freescale Semiconductor | ATMC[26] | Остин, Техас, США | 1995 | 200 | 90 | ||
Freescale Semiconductor | Chandler Fab[27] | Chandler, Arizona, США | 1.1[28] | 1993 | 200 | 180 | |
Freescale Semiconductor | Oak Hill Fab[29] | Остин, Техас, США | .8[30] | 1991 | 200 | 250 | |
Freescale Semiconductor | Sendai Fab[31] | Sendai, Япония | 1987 | 150 | 500 | ||
Freescale Semiconductor | Toulouse Fab[32] | Toulouse, Франция | 1969 | 150 | 650 | ||
SMIC | S1 Mega Fab[33] | Shanghai, Китай | 200 | 90 | |||
SMIC | S1 Mega Fab[33] | Shanghai, Китай | 200 | 350 | |||
SMIC | S1 Mega Fab[33] | Shanghai, Китай | 200 | 90 | |||
SMIC | S2[33] | Shanghai, Китай | 300 | 45/40 | |||
SMIC | B1 Mega Fab[33] | Beijing, Китай | 2004 | 300 | 130 | ||
SMIC | B1 Mega Fab[33] | Beijing, Китай | 2004 | 300 | 65/55 | ||
SMIC | Fab 7[33] | Tianjin, Китай | 2004 | 200 | 350 | ||
SMIC | Fab 7[33] | Tianjin, Китай | 200 | 130 | |||
Winbond | Memory Product Foundry[34] | Taichung, Тайвань | 300 | 90 | |||
Winbond | Memory Product Foundry[34] | Taichung, Тайвань | 300 | 65 | |||
MagnaChip | F-5[35] | Cheongju, Южная Корея | 2005 | 200 | 130 | ||
ProMOS | Fab 4[36][37] | Taichung, Тайвань | 1.6 | 300 | 70 | ||
Telefunken Semiconductors | Heilbronn | Heilbronn, Германия | 150 | 10,000 | |||
Telefunken Semiconductors | Roseville fab[38] | Roseville, CA, США | 200 | ||||
Hynix | M7[39] | Icheon, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | M8[39] | Cheongju, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | M9[39] | Cheongju, Южная Корея | 200 | ||||
Hynix | E1[39] | Eugene, OR, США | 200 | ||||
Hynix | HC1[39] | Wuxi, Китай | 200 | ||||
Fujitsu | Fab No. 1[40] | Mie Prefecture, Япония | 2005 | 300 | 65 | 15,000 | |
Fujitsu | Fab No. 1[40] | Mie Prefecture, Япония | 2005 | 300 | 90 | 15,000 | |
Fujitsu | Fab No. 2[40] | Mie Prefecture, Япония | 2007 | 300 | 65 | 25,000 | |
Fujitsu | Fab No. 2[40] | Mie Prefecture, Япония | 2007 | 300 | 90 | 25,000 | |
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 65 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 90 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 130 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 180 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 250 | ||||
Cypress Semiconductor | Minnesota fab | Bloomington, MN, США | 1991 | 350 | |||
ON Semiconductor | Gresham[41] | Gresham, OR, США | Future | 200 | 65 | ||
ON Semiconductor | Gresham[41] | Gresham, OR, США | 200 | 130 | |||
ON Semiconductor | Pocatello[42] | Pocatello, ID США | 200 | 350 | |||
ON Semiconductor | Pocatello[42] | Pocatello, ID США | 200 | 5000 | |||
National Semiconductor | Greenock[43] | Greenock, Scotland | 150 | 20,833 | |||
National Semiconductor | South Portland[44] | South Portland, ME, США | .932 | 1997 | 350 | ||
National Semiconductor | South Portland[44] | South Portland, ME, США | 250 | ||||
National Semiconductor | South Portland[44] | South Portland, ME, США | 180 | ||||
National Semiconductor | West Jordan | West Jordan, UT, США | 1977 | 102 | |||
National Semiconductor | Arlington | Arlington, TX, США | 1985 | 152 | |||
Samsung | Line-16[45] | Hwaseong, Южная Корея | 2011 | 300 | 20 | 12,000 | |
Samsung | S2[46] | USA, TX, Остин | 2011 | 300 | 32 | 40,000 | |
TowerJazz Semiconductor | Fab 1[47] | Израиль, Migdal Haemek | 1989 | ||||
TowerJazz Semiconductor | Fab 2[47] | Израиль, Migdal Haemek | 2003 | ||||
TowerJazz Semiconductor | Fab 3[47] | США, Калифорния, Newport Beach | 1967 | 200[48] | 130-500 | 17,000 | |
TowerJazz Semiconductor | Fab 4[47] | Япония, Nishiwaki City |
Микроэлектронное производство в России:
Компания | Название фабрики | Местоположение | Примерная стоимость, млрд $ | Начало производства | Диаметр пластин, мм | Техпроцесс, нм | Производительность, пластин в месяц |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Ангстрем | Зеленоград | 200 мм | 250-350 | 4000[49] | |||
Ангстрем | Зеленоград | 150 мм | 0,6 мкм | 8000[49] | |||
НИИМЭ и Микрон | Микрон | Зеленоград | ~400 млн $[50] | 2012 | 200 мм | 90 | 3000[51] |
НИИМЭ и Микрон | Микрон | Зеленоград | 2009[52] | 200 мм | 180 |
Список микроэлектронных производств.